| Индекс УДК | 539.2 |
|
Идентификация NV-центров в синтетических флуоресцентных наноалмазах и контроль дефектности кристаллитов методом электронного парамагнитного резонанса В. Ю. Осипов, К. В. Богданов, F. Treussart [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (1, 05 Мб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Исследованы 100 nm частицы синтетического алмаза с большим (>4 ppm) количеством азот-вакансионных (NV{-}) центров. Последние обнаруживают линии, связанные с запрещенными Delta m[s]=2 и разрешенными Delta m[s]=1 переходами на спектрах электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основного состояния NV- центра. Интенсивность люминесценции частиц в диапазоне 600-800 nm увеличивается с дозой облучения 5 MeV электронами и коррелирует с интегральной интенсивностью линии ЭПР с g-фактором g=4. 27. Эта величина используется для оценки концентрации NV (-) центров и отбора алмазных порошков с наибольшей интенсивностью флуоресценции. Зависимость пиковой интенсивности ЭПР сигнала Delta m[s]=2 перехода NV{ (-) } центра от микроволновой мощности имеет вид кривой с насыщением и последующим спадом, и достаточно хорошо характеризует кристаллическое качество локального окружения исследуемых центров в этих частицах. Интенсивность x, y Delta m[s]=1 перехода (при ~281. 2 mT, 9. 444 GHz) оказывается более чувствительной к изменению размера частицы в субмикронном диапазоне и появлению приповерхностных дефектов, полученных в ходе механической обработки. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 130, № 2. - С. 332-341 |
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48007305 |
