| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695901281 |
| Дата корректировки | 10:11:58 19 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47459.9024 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Жарова, Ю. А. | |
|
Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и c-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния Электронный ресурс |
|
| Optical and structural properties of nanostructures of Ag and c-Si formed in the process of metal-assisted chemical etching of silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Работа, состоящая из двух частей, посвящена изучению особенностей трeхстадийного процесса металл-стимулированного химического травления кремния (МCХТ), используемого для получения кремниевых нанонитей. Ранее нами было проведено исследование слоя самоорганизующихся наночастиц серебра, осаждаемых химическим методом из раствора на поверхности монокристаллического кремния (c-Si) (стадия 1 МСХТ), а в настоящей работе - наноструктур Si, формируемых на стадиях 2 и 3. С помощью спектральной эллипсометрии (длины волн лямбда = 250-900 нм) определены псевдодиэлектрические функции наноструктур и проведено их сопоставление для всех трех стадий процесса МСХТ. Кроме того, для наноструктур Si вычислены параметры слоев (толщина и доля пустот) в многослойной оптической модели с использованием приближения эффективной среды Бруггемана и подгоночных процедур. |
| Толмачёв, В. А. | |
| Ключевые слова | кремниевые наноструктуры |
|
металл-стимулированное химическе травление химическе травление кремния нитеподобные наноструктуры спектральная эллипсометрия оптическая многослойная модель |
|
|
Толмачев, В. А. Павлов, С. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 576-582 |
|
| Имя макрообъекта | Жарова_оптические |
| Тип документа | b |
