| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695828149 |
| Дата корректировки | 13:41:50 18 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47455.9019 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Астрова, Е. В. | |
|
Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка Электронный ресурс |
|
| Fabrication of porous silicon by sintering of nanopowder | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Хорошо известный способ получения слоев макропористого кремния с помощью электрохимического и фотоэлектрохимического травления монокристаллических пластин является малопроизводительным и дорогим. В качестве альтернативного метода получения объемного макропористого кремния можно использовать высокотемпературное спекание порошка Si. В работе проведены исследования процесса спекания нанопорошка, предварительно прошедшего холодную компрессию всухую (без связующих добавок). Изучены свойства полученного материала (микроструктура, плотность и электропроводность) в зависимости от температуры и времени отжига. Обсуждаются способы изменения пористости спеченных образцов и методы определения площади внутренней поверхности. |
| Нащёкин, А. В. | |
| Ключевые слова | пористый кремний |
|
кремний спекание нанопорошка электрохимическое травление фотоэлектрохимическое травление монокристаллические пластины макропористый кремний |
|
|
Воронков, В. Б. Нащекин, А. В. Парфеньева, А. В. Ложкина, Д. А. Томкович, М. В. Кукушкина, Ю. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 540-549 |
|
| Имя макрообъекта | Астрова_получение |
| Тип документа | b |
