Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/695812019 |
Дата корректировки | 9:14:55 18 января 2022 г. |
10.21883/FTP.2019.03.47296.8901 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Калыгина, В. М. | |
Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением Электронный ресурс |
|
The structure and properties of gallium-oxide films deposited by RF magnetron sputtering | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
Аннотация | Исследованы свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным распылением мишени бета-Ga[2]O[3] с осаждением на сапфировую подложку. После нанесения пленки оксида галлия оказываются поликристаллическими, содержат кристаллиты альфа и бета фазы. Воздействие кислородной плазмой не приводит к появлению новых кристаллитов, но в несколько раз увеличивает их средний размер в плоскости подложки. После отжига при 900°C размер кристаллитов увеличивается в 2 раза по сравнению с пленкой без отжига. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, обладают большим сопротивлением при 20°C. В интервале 50-500°C проводимость образцов (G) слабо зависит от температуры T и увеличивается по экспоненциальному закону при дальнейшем повышении T с энергией активации 0.7-1.0 эВ. На кривой зависимости lnG от 1/T наблюдается максимум в интервале 470-520°C, который сменяется участком спада проводимости при более высоких температурах. Необычный вид температурной зависимости проводимости после отжига связан с изменением структуры и фазового состава поликристаллической пленки оксида галлия и, возможно, с эффектами на поверхности. Структуры, полученные на диэлектрической подложке, оказываются солнечно-слепыми в видимом диапазоне длин волн и чувствительными к воздействию излучения в ультрафиолетовом диапазоне (222 нм). |
Ключевые слова | оксид галлия |
пленки оксида галлия высокочастотное магнетронное напыление магнетронное напыление сапфировая подложка кристаллиты диэлектрическая подложка |
|
Лыгденова, Т. З. Новиков, В. А. Петрова, Ю. С. Цымбалов, А. В. Яскевич, Т. М. |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 411-417 |
|
Имя макрообъекта | Калыгина_структура |
Тип документа | b |