Поиск

Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением

Авторы: Калыгина, В. М. Лыгденова, Т. З. Новиков, В. А. Петрова, Ю. С. Цымбалов, А. В. Яскевич, Т. М.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/695812019
Дата корректировки 9:14:55 18 января 2022 г.
10.21883/FTP.2019.03.47296.8901
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Калыгина, В. М.
Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением
Электронный ресурс
The structure and properties of gallium-oxide films deposited by RF magnetron sputtering
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Исследованы свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным распылением мишени бета-Ga[2]O[3] с осаждением на сапфировую подложку. После нанесения пленки оксида галлия оказываются поликристаллическими, содержат кристаллиты альфа и бета фазы. Воздействие кислородной плазмой не приводит к появлению новых кристаллитов, но в несколько раз увеличивает их средний размер в плоскости подложки. После отжига при 900°C размер кристаллитов увеличивается в 2 раза по сравнению с пленкой без отжига. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, обладают большим сопротивлением при 20°C. В интервале 50-500°C проводимость образцов (G) слабо зависит от температуры T и увеличивается по экспоненциальному закону при дальнейшем повышении T с энергией активации 0.7-1.0 эВ. На кривой зависимости lnG от 1/T наблюдается максимум в интервале 470-520°C, который сменяется участком спада проводимости при более высоких температурах. Необычный вид температурной зависимости проводимости после отжига связан с изменением структуры и фазового состава поликристаллической пленки оксида галлия и, возможно, с эффектами на поверхности. Структуры, полученные на диэлектрической подложке, оказываются солнечно-слепыми в видимом диапазоне длин волн и чувствительными к воздействию излучения в ультрафиолетовом диапазоне (222 нм).
Ключевые слова оксид галлия
пленки оксида галлия
высокочастотное магнетронное напыление
магнетронное напыление
сапфировая подложка
кристаллиты
диэлектрическая подложка
Лыгденова, Т. З.
Новиков, В. А.
Петрова, Ю. С.
Цымбалов, А. В.
Яскевич, Т. М.
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 3. - С. 411-417
Имя макрообъекта Калыгина_структура
Тип документа b