| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695753240 |
| Дата корректировки | 16:56:19 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47287.9000 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Звонков, Б. Н. | |
|
Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментального изучения новой конструкции диодных гетероструктур с ферромагнитными слоями (Ga,Mn)As. Диодные структуры изготовлены сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного осаждения и содержат гетеропереходы (Ga,Mn)As/n-InGaAs. Исследованы электрические свойства диодов в магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости p-n-перехода. Обнаружено отрицательное магнетосопротивление при температурах < 50K - меньше температуры Кюри (Ga,Mn)As, связанное с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря наличию ферромагнитного упорядочения и со снижением потенциального барьера на границе (Ga,Mn)As/n-InGaAs. Наблюдаемое отрицательное магнетосопротивление немонотонно зависит от величины прямого смещения с максимумом в области напряжения, близкого к высоте потенциального барьера p-n-перехода. Наличие максимума может быть связано с определяющим вкладом спин-зависимых сопротивления слоя (Ga,Mn)As и сопротивления на границе раздела (Ga,Mn)As/n-InGaAs в величину общего сопротивления структуры. Установлено, что зависимость магнетосопротивления от внешнего магнитного поля имеет гистерезисный вид, особенности которого обусловлены влиянием напряжений растяжения в слое (Ga,Mn)As, выращенном поверх релаксированного буфера In[x]Ga[1-x]As. |
| Ключевые слова | магнитные диоды |
|
импульсное лазерное осаждение диодные гетероструктуры МОС-гидридная эпитаксия магнетосопротивление |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Дорохин, М. В. Кудрин, А.В. Калентьева, И. Л. Ларионова, Е. А. Ковальский, В. А. Солтанович, О. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 351-358 |
|
| Имя макрообъекта | Звонков_исследование |
| Тип документа | b |
