| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695747285 |
| Дата корректировки | 15:17:16 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.03.47288.9001 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Виниченко, А. Н. | |
|
Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In[0.2]Ga[0.8]As Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Впервые реализованы и исследованы метаморфные глубокие квантовые ямы MHEMT In[0.2]Ga[0.8]As/In[0.2]Al[0.8]As (глубина 0.7 эВ для Г-электронов) с различной конструкцией метаморфного буфера. Проведен сравнительный анализ электронных свойств метаморфной MHEMT- и псевдоморфной РНЕМТ-структур при одинаковом легировании. Обнаружено увеличение подвижности и концентрации электронов в интервале температур 4-300K в МНЕМТ-структуре с линейным метаморфным буфером по сравнению с РНЕМТ-структурой, что связано c увеличением глубины квантовой ямы. Из низкотемпературного магнетотранспорта обнаружено, что в МНЕМТ-структуре существенно снижается квантовое время релаксации импульса за счет усиления механизмов рассеяния на малые углы на структурных дефектах и неоднородностях, при этом доминирующим в структурах обоих типов является рассеяние на удаленной ионизованной примеси. |
| Ключевые слова | электронный квантовый транспорт |
|
псевдоморфные квантовые ямы метаморфные квантовые ямы квантовые ямы атомно-силовая микроскопия гетероструктуры рассеяние электронов |
|
|
Сафонов, Д. А. Каргин, Н. И. Васильевский, И. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 359-364 |
|
| Имя макрообъекта | Виниченко_электронный |
| Тип документа | b |
