| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695730957 |
| Дата корректировки | 11:12:28 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47109.8908 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тысченко, И. Е. | |
|
Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса Электронный ресурс |
|
| Anodic oxidation of hydrogen-transferred silicon-on-insulator layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Изучена скорость анодного окисления пленок кремний-на-изоляторе (КНИ), созданных методом водородного переноса, как функция температуры последующего отжига. Установлено, что скорость окисления перенесенных пленок КНИ в 5 раз меньше по сравнению со скоростью окисления образцов монокристаллического объемного кремния. Скорость окисления растет по мере отжига образцов в интервале температур 700-1100°С, а также с глубиной по мере поэтапного удаления анодно-окисленных слоев. Полученные результаты объясняются увеличением эффективности анодного тока и взаимодействия атомов кислорода и кремния соответственно за счет отжига дефектов и выхода водорода из связанного состояния. Обнаружено образование водородных пузырей в приповерхностной области кремния за счет диффузии водорода, высвобождающегося в процессе реакции окисления, к микропорам в слое КНИ. |
| Ключевые слова | анодное окисление |
|
кремний-на-изоляторе водородный перенос оксид кремния пленки кремния на изоляторе полупроводники |
|
|
Попов, И. В. Спесивцев, Е. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 253-257 |
|
| Имя макрообъекта | Тысченко_анодное |
| Тип документа | b |
