Поиск

Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса

Авторы: Тысченко, И. Е. Попов, И. В. Спесивцев, Е. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса
Электронный ресурс
Аннотация Изучена скорость анодного окисления пленок кремний-на-изоляторе (КНИ), созданных методом водородного переноса, как функция температуры последующего отжига. Установлено, что скорость окисления перенесенных пленок КНИ в 5 раз меньше по сравнению со скоростью окисления образцов монокристаллического объемного кремния. Скорость окисления растет по мере отжига образцов в интервале температур 700-1100°С, а также с глубиной по мере поэтапного удаления анодно-окисленных слоев. Полученные результаты объясняются увеличением эффективности анодного тока и взаимодействия атомов кислорода и кремния соответственно за счет отжига дефектов и выхода водорода из связанного состояния. Обнаружено образование водородных пузырей в приповерхностной области кремния за счет диффузии водорода, высвобождающегося в процессе реакции окисления, к микропорам в слое КНИ.
Ключевые слова анодное окисление
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 2. - С. 253-257
Имя макрообъекта Тысченко_анодное