| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695726485 |
| Дата корректировки | 9:40:19 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47102.8676 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пашаев, А. М. | |
|
Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga[2]Se[3]) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты измерений электропроводности слоистых кристаллов (GaSe, GaTe и их твердых растворов) и кубических кристаллов типа Ga[2]Se[3] в сильных электрических полях до 5 · 10{5} В/см в интервале температур (77-300) K. Полученные результаты были сравнены с феноменологической теорией концентрационной неустойчивости в полупроводниках. В этой теории рассматривается роль эффекта Френкеля, связанного с термоэлектронной ионизацией ловушек, приводящих к процессу неустойчивости в полупроводниках с S-образной вольт-амперной характеристикой. На основании результатов измерений электропроводности слоистых и кубических кристаллов с эффектом Френкеля и теорией неустойчивости тока в полупроводниках оценена концентрация свободных носителей тока в указанных типах халькогенидных полупроводников: n = (3 · 10{13}-4 · 10{15}) см{-3}. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
халькогенидные полупроводники слоистые кристаллы кубические кристаллы эффект Френкеля термоэлектронная ионизация ловушек |
|
|
Тагиев, Б. Г. Тагиев, О. Б. Межидова, В. Т. Садыхов, И. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 221-225 |
|
| Имя макрообъекта | Пашаев_влияние |
| Тип документа | b |
