| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние электрического поля на энергию активации локальных уровней в полупроводниках со слоистой (GaSe) и кубической структурой (Ga[2]Se[3]) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты измерений электропроводности слоистых кристаллов (GaSe, GaTe и их твердых растворов) и кубических кристаллов типа Ga[2]Se[3] в сильных электрических полях до 5 · 10{5} В/см в интервале температур (77-300) K. Полученные результаты были сравнены с феноменологической теорией концентрационной неустойчивости в полупроводниках. В этой теории рассматривается роль эффекта Френкеля, связанного с термоэлектронной ионизацией ловушек, приводящих к процессу неустойчивости в полупроводниках с S-образной вольт-амперной характеристикой. На основании результатов измерений электропроводности слоистых и кубических кристаллов с эффектом Френкеля и теорией неустойчивости тока в полупроводниках оценена концентрация свободных носителей тока в указанных типах халькогенидных полупроводников: n = (3 · 10{13}-4 · 10{15}) см{-3}. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 221-225 |
|
| Имя макрообъекта | Пашаев_влияние |
