| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695489068 |
| Дата корректировки | 15:31:37 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47090.8799 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Карандашев, С. А. | |
|
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя) Электронный ресурс |
|
| Sources of spontaneous emission based on indium arsenide (overview: 10 years after) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 60 назв. |
| Аннотация | Приводится обзор результатов, полученных при исследовании светодиодов на основе гетероструктур с активной областью из InAs, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, за последние 10 лет. Проводится анализ картины ближнего поля, ватт-амперных, вольт-амперных характеристик и квантового выхода светодиодов, имеющих конструкцию с точечным контактом и флип-чип, в широком диапазоне температур. |
| Ключевые слова | спонтанное излучение |
|
арсенид индия светодиоды жидкофазная эпитаксия газофазнаяй эпитаксия электролюминесцентное излучение |
|
|
Матвеев, Б. А. Ременный, М. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 147-157 |
|
| Имя макрообъекта | Карандашев_источники |
| Тип документа | b |
