| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694614222 |
| Дата корректировки | 12:23:42 4 января 2022 г. |
| 10.21883/OS.2019.08.48049.364-18 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Швец, В. А. | |
|
Определение профиля состава квантовых ям HgTe/Cd[х]Hg[1-x]Te методом одноволновой эллипсометрии Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Разработан эллипсометрический метод восстановления профиля состава по толщине в тонких нанослоях гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе соединения кадмий- ртуть-теллур. Метод основан на решении обратной эллипсометрической задачи с заменой части неоднородного слоя однородной средой со специально подобранными оптическими константами. Численное моделирование показало корректность такой замены и эффективность разработанного алгоритма. С помощью данного метода проведено исследование активной области гетероструктуры, состоящей из пяти квантовых ям HgTe, разделенных обкладками широкозонного CdHgTe. Основываясь на результатах непрерывных in situ эллипсометрических измерений, выполненных в процессе роста гетероструктуры, рассчитаны профили состава для всех пяти последовательно выращенных квантовых ям и показана высокая воспроизводимость зависимостей их состава от толщины. |
|
эллипсометрические параметры молекулярно-лучевая эпитаксия профиль состава квантовые ямы одноволновая эллипсометрия |
|
|
Михайлов, Н. Н. Икусов, Д. Г. Ужаков, И. Н. Дворецкий, С. А. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127, вып. 2. - С. 318-324 |
|
| Имя макрообъекта | Швец_определение |
| Тип документа | b |
