| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694186014 |
| Дата корректировки | 13:31:27 30 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46989.8867 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тысченко, И. Е. | |
|
Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения Электронный ресурс |
|
| Bonding energy of silicon and sapphire wafers under elevated contact temperature | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Изучены гидрофильность поверхности и энергия связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50°C. Установлено, что нагрев пластин Si и Al[2]O[3] до 50°C сопровождается ростом степени гидрофильности их поверхностей. Эффект объясняется улучшением степени чистоты поверхности за счет десорбции примесных атомов в вакуум и увеличением плотности оборванных связей. Обнаружен рост энергии связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50°C и последующем нагреве в интервале 100-250°C по сравнению с ее значениями при соединении при комнатной температуре. Определена энергия активации роста энергии связи, которая составила 0.57 эВ. |
| Ключевые слова | кремний |
|
сапфир кремний-на-сапфире гидрофильность поверхности энергия связи пластины кремния пластины сапфира |
|
|
Жанаев, Э. Д. Попов, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 65-69 |
|
| Имя макрообъекта | Тысченко_энергия |
| Тип документа | b |
