| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694105623 |
| Дата корректировки | 10:24:35 30 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46998.8900 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Куликов, Н. А. | |
|
Влияние электрического режима и гамма-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO[2] в МОП-транзисторе Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Приводятся результаты экспериментального исследования процесса образования поверхностных дефектов при воздействии гамма-излучения с мощностью дозы P = 0.1 рад(Si)/с на МОП-транзисторы с n-каналом в пассивном и активном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования. Предлагается качественная модель, объясняющая влияние напряжения на стоке транзистора на процесс дефектообразования. |
| Ключевые слова | гамма-облучение |
|
МОП-транзисторы тонкие оксидные пленки кремний оксид кремния радиационные эффекты плотность поверхностных дефектов поверхностные дефекты |
|
| Попов, В. Д. | |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 115-118 |
|
| Имя макрообъекта | Куликов_влияние |
| Тип документа | b |
