| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние электрического режима и гамма-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO[2] в МОП-транзисторе Электронный ресурс |
|
| Ключевые слова | гамма-облучение |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 115-118 |
|
| Имя макрообъекта | Куликов_влияние |
