| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694100174 |
| Дата корректировки | 13:50:16 29 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46985.8802 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гольдман, Е. И. | |
|
Определение параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик Электронный ресурс |
|
| Determination of parameters of metal-dielectric-semiconductor structures with a ultrathin insulating layer from high-frequency capacitance-voltage measurements | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Предложена простая численная методика обработки данных высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Подход основан на анализе экспериментальных характеристик вблизи состояния плоских зон, где перезарядка поверхностных локализованных электронных состояний малосущественна по сравнению с изменением приграничного заряженного слоя в полупроводнике. Развитый аппарат позволяет: во-первых, находить необходимые параметры полупроводника и изолирующего слоя; во-вторых, получать в диапазоне от плоских зон до глубокого обеднения экспериментальные полевые зависимости изгиба зон в полупроводнике и суммарной концентрации встроенного заряда, заряда пограничных состояний и неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Методика хорошо применима к структурам со сверхтонким изолирующим слоем. На образцах металл-окисел-полупроводник на основе n-Si с толщиной окисла 39А проведена экспериментальная апробация предложенного подхода. Точность полученных результатов составила 2-3%. |
| Ключевые слова | вольт-фарадные характеристики |
|
металлы диэлектрики полупроводники кремниевые подложки |
|
|
Кухарская, Н. Ф. Левашов, С. А. Чучева, Г. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 46-49 |
|
| Имя макрообъекта | Гольдман_определение |
| Тип документа | b |
