| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/694099187 |
| Дата корректировки | 13:20:49 29 декабря 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2019.01.46993.8860 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гольдман, Е. И. | |
|
О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия Электронный ресурс |
|
| On the nature of an increase of the electron mobility in the inversion channel at the silicon-oxide interface after a field influence | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | В диапазоне значений индукции поперечного магнитного поля 0.5 Тл при температурах от 100 до 200K проведены измерения характеристик проводимости канала инверсии Si-транзисторных структур после ионной поляризации и деполяризации образцов. После ионной поляризации при температуре 420K под действием сильного электрического поля в окисле перетекало не менее 6 · 10{13} см{-2} ионов. Обнаруженное ранее повышение проводимости в цепи исток-сток после поляризации изолирующих слоев до 10 раз объяснено образованием нового пути электропереноса по поверхностной примесной зоне, связанной с делокализованными D{-}-состояниями, которые генерируются нейтрализованными ионами, расположенными в изолирующем слое у границы раздела с полупроводником. |
|
подвижность электронов ионная поляризация кремний-окисел кремниевые транзисторы полупроводники |
|
|
Набиев, А. Э. Нарышкина, В. Г. Чучева, Г. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 89-92 |
|
| Имя макрообъекта | Гольдман_о природе |
| Тип документа | b |
