Поиск

Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge

Авторы: Банная, В. Ф. Никитина, Е. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/694091290
Дата корректировки 11:18:48 29 декабря 2021 г.
10.21883/FTP.2019.01.46980.8837
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Банная, В. Ф.
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Электронный ресурс
Influence of a quantum magnetic field on the heating of charge carriers in pure Ge
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 9 назв.
Аннотация Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем (E) в чистом германии n- и p-типов, в квантующем магнитном поле (H), в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
квантовое магнитное поле
фотовозбуждение носителей
фотогенерация носителей
германий
носители заряда
Никитина, Е. В.
Физика и техника полупроводников
2019
Т. 53, вып. 1. - С. 13-17
Имя макрообъекта Банная_влияние
Тип документа b