Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/694091290 |
Дата корректировки | 11:18:48 29 декабря 2021 г. |
10.21883/FTP.2019.01.46980.8837 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Банная, В. Ф. | |
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge Электронный ресурс |
|
Influence of a quantum magnetic field on the heating of charge carriers in pure Ge | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
Аннотация | Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем (E) в чистом германии n- и p-типов, в квантующем магнитном поле (H), в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях. |
квантовое магнитное поле фотовозбуждение носителей фотогенерация носителей германий носители заряда |
|
Никитина, Е. В. | |
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 1. - С. 13-17 |
|
Имя макрообъекта | Банная_влияние |
Тип документа | b |