| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691167652 |
| Дата корректировки | 15:03:58 25 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46882.8952 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Стрельчук, А. М. | |
|
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий Электронный ресурс |
|
| Radiation damage of silicon carbide diodes by high-energy particles | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Представлено исследование радиационной стойкости трех типов коммерческих выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния (4H-SiC, уровень легирования базового слоя (3-7) · 10{15} см{-3}) при электронном облучении (с энергиями электронов 0.9 или 3.5МэВ), а также при протонном облучении (с энергией протонов 15МэВ). Контролировались прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов. В исходном состоянии диоды характеризовались напряжением пробоя 1-2кВ и практически идеальной прямой вольт-амперной характеристикой. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению и определяющим радиационную стойкость параметром является последовательное сопротивление диодов, растущее почти на 10 порядков и достигающее 10{9} Ом при больших дозах. |
| Ключевые слова | карбид-кремниевые диоды |
|
диоды Шоттки карбид кремния электронное облучение протонное облучение радиационное повреждение |
|
|
Козловский, В. В. Лебедев, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1651-1655 |
|
| Имя макрообъекта | Стрельчук_характеристики |
| Тип документа | b |
