Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/691081443 |
Дата корректировки | 15:09:03 24 ноября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.13.46876.8898 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Ли, Г. В. | |
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя Электронный ресурс |
|
Influence of hydrogen peroxide on the photoanodization of n-Si in the breakdown mode | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
Аннотация | Проведено экспериментальное исследование анодного растворения низколегированного n-Si(100) в электролите, состоящем из 4% раствора HF в 30% перекиси водорода, при напряжении выше напряжения пробоя. Изучено влияние величины освещенности обратной стороны пластины на морфологию пористой структуры и на такие параметры, как пористость, эффективная валентность и скорость роста пор. Полученные данные сравниваются с данными для структур, подвергшихся фотоанодированию в водном электролите с той же концентрацией HF. Установлено, что наличие перекиси водорода значительно меняет морфологию макропор, уменьшает их диаметр и увеличивает в ~ 2 раза скорость роста в глубь подложки. В присутствии H[2]O[2] наблюдается появление наклонных вторичных пор, ориентированных под углом 15-35° к оси основного канала, и увеличение числа пробойных мезопор, распространяющихся в направлениях (100) в плоскости, параллельной поверхности образца. Эффективная валентность электрохимического растворения кремния в электролите HF : H[2]O[2] при низком уровне подсветки близка к единице и возрастает с интенсивностью света, оставаясь всегда меньше 2. |
Лихачёв, А. И. | |
Ключевые слова | перекись водорода |
фотоанодирование кремний в электролите электролиты электрохимическое травление анодирование электронного кремния фотоэлектрохимическое травление |
|
Астрова, Е. В. Лихачев, А. И. |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1614-1624 |
|
Имя макрообъекта | Ли_влияние |
Тип документа | b |