Поиск

Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe

Авторы: Вейнгер, А. И. Кочман, И. В. Окулов, В. И. Андрийчук, М. Д. Паранчич, Л. Д.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/691075667
Дата корректировки 13:36:54 24 ноября 2021 г.
Стандартный номер 10.21883/FTP.2018.13.46868.8904
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Автор Вейнгер, А. И.
Заглавие Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe
Физич. носитель Электронный ресурс
Spin resonance of conduction electrons in the HgSe
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 17 назв.
Аннотация Изучены образцы бесщелевого полупроводника HgSe c различной концентрацией примеси железа. Образцы HgSe:Fe исследованы методом электронного парамагнитного резонанса. Рассмотрены множественные резонансные линии, обусловленные неспаренными спинами различного происхождения. Для описания свойств электронов, локализованных на мелких примесях, использована водородоподобная модель. Рассмотрено влияние внутреннего поля на резонансные линии. Обнаружено, что зона проводимости HgSe является не только непараболической, но также и несферической.
Ключевые слова бесщелевые полупроводники
полупроводники
электронный парамагнитный резонанс
резонансное поглощение
кристаллы HgSe
селенид ртути
Другие авторы Кочман, И. В.
Окулов, В. И.
Андрийчук, М. Д.
Паранчич, Л. Д.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 52, вып. 13. - С. 1573-1577
Имя макрообъекта Вейнгер_электронный
Тип документа b