| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Вейнгер, А. И. |
| Заглавие | Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Изучены образцы бесщелевого полупроводника HgSe c различной концентрацией примеси железа. Образцы HgSe:Fe исследованы методом электронного парамагнитного резонанса. Рассмотрены множественные резонансные линии, обусловленные неспаренными спинами различного происхождения. Для описания свойств электронов, локализованных на мелких примесях, использована водородоподобная модель. Рассмотрено влияние внутреннего поля на резонансные линии. Обнаружено, что зона проводимости HgSe является не только непараболической, но также и несферической. |
| Ключевые слова | бесщелевые полупроводники |
| Другие авторы | Кочман, И. В. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 13. - С. 1573-1577 |
| Имя макрообъекта | Вейнгер_электронный |
