Поиск

Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом

Авторы: Шашкин, И. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/691000830
Дата корректировки 16:49:54 23 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.12.46763.8905
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Шашкин, И. С.
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
Электронный ресурс
All-electric laser beam control based on quantum-confined heterostructure with an integrated distributed Bragg grating
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация Проведены теоретические исследования характеристик полупроводниковых чип-модуляторов, обеспечивающих угловое отклонение направленного лазерного излучения за счет полностью электрической модуляции оптических характеристик полупроводниковой гетероструктуры. Разработаны конструкции квантово-размерных полупроводниковых волноводных гетероструктур с распределенным брэгговским зеркалом, интегрально сформированным на поверхности гетероструктуры. Предложена конструкция волноводной структуры, включающей 20 периодов связанных асимметричных квантовых ям, обеспечивающих значение фактора оптического ограничения волноводной моды 20%, и оптимизированный профиль легирования, позволяющий сохранить равномерное распределение электрического поля в области квантовых ям во всем диапазоне рабочих напряжений. В предложенной волноводной структуре изменение показателя преломления за счет квантово-размерного эффекта Штарка достигает 0.086 при изменении управляющего сигнала от 0 до 6В. Для предложенной конструкции волноводной структуры продемонстрирована возможность пространственной (угловой) развертки в диапазоне 1-2° для лазерного излучения, выводимого с поверхности распределенного брэгговского зеркала, при расходимости менее 0.1°.
Ключевые слова полупроводниковые чип-модуляторы
чип-модуляторы
лазерное излучение
волноводные гетероструктуры
гетероструктуры
полупроводники
эффект Штарка
развертка лазерного луча
брэгговское зеркало
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 12. - С. 1491-1498
Имя макрообъекта Шашкин_полностью
Тип документа b