Поиск

Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe(013) с двойными квантовыми ямами

Авторы: Спирин, К. Е. Гапонова, Д. М. Маремьянин, К. В. Румянцев, В. В. Гавриленко, В. И. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/690994283
Дата корректировки 15:00:38 23 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.12.46761.41
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Спирин, К. Е.
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe(013) с двойными квантовыми ямами
Электронный ресурс
Bipolar persistent photoconductivity effects in HgTe/CdHgTe (013) double quantum well heterostructures
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Исследовались эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами при T = 4.2K. Показано, что остаточная фотопроводимость в данной системе имеет биполярный характер, т. е. присутствует как положительная, так и отрицательная остаточная фотопроводимость в зависимости от длины волны подсветки.
Ключевые слова биполярная остаточная фотопроводимость
остаточная фотопроводимость
эффекты остаточной фотопроводимости
гетероструктуры
двойные квантовые ямы
теллурид ртути
теллурид кадмия-ртути
халькогены
Гапонова, Д. М.
Маремьянин, К. В.
Румянцев, В. В.
Гавриленко, В. И.
Михайлов, Н. Н.
Дворецкий, С. А.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 12. - С. 1482-1485
Имя макрообъекта Спирин_биполярная
Тип документа b