Поиск

Электрическая перестройка усиления терагерцового излучения в периодической плазмонной графеновой структуре с инжекцией носителей заряда

Авторы: Полищук, О. В. Фатеев, Д. В. Попов, В. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/690912691
Дата корректировки 16:19:26 22 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.12.46752.31
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Полищук, О. В.
Электрическая перестройка усиления терагерцового излучения в периодической плазмонной графеновой структуре с инжекцией носителей заряда
Электронный ресурс
Electrical tunability of terahertz amplication in a periodic plasmon graphene structure with charge carrier injection
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 20 назв.
Аннотация Теоретически исследована зависимость терагерцовой резонансной частоты плазмона в точке генерации от величины квазиэнергии Ферми на участке графена с инверсной населенностью носителей заряда и от энергии Ферми в подзатворных p- и n-областях в периодической р-i-n-структуре на основе графена с инжекционной накачкой. Таким образом, показана возможность создания электрически частотно-перестраиваемых наноразмерных плазмонных графеновых усилителей и генераторов в широком терагерцовом частотном диапазоне при комнатной температуре.
Ключевые слова терагерцовое излучение
инжекция носителей заряда
графен
плазмоны
наноразмерные плазмонные усилители
инжекционная накачка
Фатеев, Д. В.
Попов, В. В.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511
Имя макрообъекта Полищук_электрическая
Тип документа b