| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрическая перестройка усиления терагерцового излучения в периодической плазмонной графеновой структуре с инжекцией носителей заряда Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Теоретически исследована зависимость терагерцовой резонансной частоты плазмона в точке генерации от величины квазиэнергии Ферми на участке графена с инверсной населенностью носителей заряда и от энергии Ферми в подзатворных p- и n-областях в периодической р-i-n-структуре на основе графена с инжекционной накачкой. Таким образом, показана возможность создания электрически частотно-перестраиваемых наноразмерных плазмонных графеновых усилителей и генераторов в широком терагерцовом частотном диапазоне при комнатной температуре. |
| Ключевые слова | терагерцовое излучение |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511 |
|
| Имя макрообъекта | Полищук_электрическая |
