Поиск

Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

Авторы: Румянцев, В. В. Алёшкин, В. Я. Фадеев, М. А. Иконников, А. В. Казаков, А. С. Алешкин, В. Я. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А. Морозов, С. В. Гавриленко, В. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/690475675
Дата корректировки 14:59:11 23 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.11.46580.02
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Румянцев, В. В.
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Электронный ресурс
Effect of carrier spectrum features on stimulated emission characteristics in narrow-gap HgCdTe quantum waveguide structures
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 22 назв.
Аннотация В квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe, получено стимулированное излучение в диапазоне длин волн 20.3-17.4 мкм на межзонных переходах при T = 8-50K. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон длин волн 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантовых каскадных лазеров. Показано, что максимальная температура, до которой возможно получение стимулированного излучения, определяется положением ”боковых“ максимумов на дисперсионных зависимостях в первой валентной подзоне квантовой ямы, и обсуждаются способы подавления безызлучательной рекомбинации в структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe.
Служебное примечание Алёшкин, В. Я.
Ключевые слова стимулированное излучение
гетероструктуры
квантовые ямы
теллурид кадмия-ртути
длинноволновые лазеры
Куликов, Н. С.
Кадыков, А. М.
Фадеев, М. А.
Иконников, А. В.
Казаков, А. С.
Жолудев, М. С.
Алешкин, В. Я.
Уточкин, В. В.
Михайлов, Н. Н.
Дворецкий, С. А.
Морозов, С. В.
Гавриленко, В. И.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 11. - С. 1317-1320
Имя макрообъекта Румянцев_влияние
Тип документа b