| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690383725 |
| Дата корректировки | 13:20:52 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46591.13 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Резник, Р. Р. | |
|
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена Электронный ресурс |
|
| MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires SiC substrate with graphene layer | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Впервые была продемонстрирована принципиальная возможность синтеза GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке карбида кремния с пленкой графена. InP-нанокристаллы на такой подложке не имеют дефектов упаковки и обладают идеальным кристаллографическим качеством, в то время как GaP нитевидные кристаллы имеют структурные дефекты типа двойников/перекидок кристаллографических фаз у вершины и основания. Результаты структурных исследований показали, что нитевидные нанокристаллы сформировались в вюрцитной фазе, не типичной для объемных III-V материалов. |
| Ключевые слова | молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
нитевидные нанокристаллы подложки карбида кремния SiC-подложки пленки графена графен полупроводники фосфид галлия фосфид индия |
|
|
Котляр, К. П. Илькив, И. В. Сошников, И. П. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Кириленко, Д. А. Алексеев, П. А. Цырлин, Г. Э. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1317-1320 |
|
| Имя макрообъекта | Резник_синтез |
| Тип документа | b |
