| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690377397 |
| Дата корректировки | 11:35:51 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46595.17 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Павельев, Д. Г. | |
|
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток Электронный ресурс |
|
| Radiation hardness of terahertz diode based on GaAs/AlAs-superlattices | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Впервые теоретически и экспериментально исследована радиационная стойкость к гамма-нейтронному облучению (~ 1МэВ) диодов на основе симметричных GaAs/AlAs 30-периодных сверхрешеток. В расчетах использованы модельные зонная диаграмма и эквивалентная схема исследуемой структуры. Расчеты проведены в квазигидродинамическом приближении с учетом разогрева исследуемых диодов протекающим током. Результаты расчетов ВАХ и предельных частот работы диодов до и после гамма-нейтронного облучения хорошо коррелируют с экспериментальными данными. |
| Ключевые слова | терагерцовые диоды |
|
радиационная стойкость гамма-нейтронное облучение сверхрешетки-GaAs/AlAs Монте-Карло, метод диоды Шоттки диоды Ганна арсенид галлия арсенид алюминия |
|
|
Васильев, А. П. Козлов, В. A. Оболенская, Е. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1337-1345 |
|
| Имя макрообъекта | Павельев_радиационная |
| Тип документа | b |
