| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690370215 |
| Дата корректировки | 9:47:07 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46579.01 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Козлов, Д. В. | |
|
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Разработан метод расчета состояний многовалентных доноров и акцепторов в Hg[1-x]Cd[x] Te материалах. Рассчитаны энергии ионизации глубоких акцепторных и донорных центров в эпитаксиальных Hg[1-x]Cd[x]Te-пленках. Метод расчета учитывал влияние как валентной зоны, так и зоны проводимости на состояния примесно-дефектных центров. Проведенные расчеты энергий уровней четырехвалентных акцепторов и доноров, связанных с дефектами кристаллической структуры, указывают на межцентровую природу линий, наблюдаемых ранее в спектрах фотолюминесценции Hg[1-x]Cd[x] Te-пленок. |
| Ключевые слова | примесно-дефектные центры |
|
эпитаксиальные пленки акцепторные центры донорные центры спектры фотолюминесценции фотолюминесценция энергия ионизации центра |
|
|
Румянцев, В. В. Морозов, С. В. Кадыков, А. М. Фадеев, М. А. Hubers, H.-W. Гавриленко, В.И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1257-1262 |
|
| Имя макрообъекта | Козлов_расчет |
| Тип документа | b |
