Поиск

Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te

Авторы: Козлов, Д. В. Румянцев, В. В. Морозов, С. В. Кадыков, А. М. Фадеев, М. А. Hubers, H.-W. Гавриленко, В.И.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te
Электронный ресурс
Ключевые слова примесно-дефектные центры
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 11. - С. 1257-1262
Имя макрообъекта Козлов_расчет