Индекс УДК | 621.315.592 |
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te Электронный ресурс |
|
Ключевые слова | примесно-дефектные центры |
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1257-1262 |
|
Имя макрообъекта | Козлов_расчет |