| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690368227 |
| Дата корректировки | 9:14:11 16 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46584.06 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калентьева, И. Л. | |
|
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур Электронный ресурс |
|
| Influence of the composition of the carrier gas during the growth of the delta-Mn layer on the electrical and magnetic properties of GaAs structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние содержания арсина (от 0 до 8 мкмоль), подаваемого в реактор вместе с водородом при импульсном лазерном распылении мишени Mn, на формирование дельта-легированных арсенид-галлиевых структур. Установлено, что молярная доля арсина ~ 2.5 мкмоль в атмосфере реактора при формировании дельта-легированного марганцем слоя GaAs позволяет получать эпитаксиальные моно-кристаллические структуры с наименьшим слоевым сопротивлением и температурой фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик вблизи 40K. Увеличение содержания арсина до 8 мкмоль или его отсутствие в потоке водорода приводит к значительному росту слоевого сопротивления в области температур ниже 150K и снижению температуры Кюри. В первом случае это может быть обусловлено частичной компенсацией дырочной проводимости дефектами донорного типа, образующимися вследствие избытка мышьяка на растущей поверхности (атомы мышьяка в положении Ga или в междоузлии). Во втором случае, когда арсин не подается в реактор, ростовая поверхность, вероятно, оказывается обогащенной атомами галлия, и это обстоятельство затрудняет встраивание Mn в подрешетку Ga. |
| Ключевые слова | GaAs-структуры |
|
арсенид-галлиевые структуры дельта-легированные металлы дельта-слои марганца (Mn) марганец арсин температура Кюри |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Кудрин, А. В. Антонов, И. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290 |
|
| Имя макрообъекта | Калентьева_влияние |
| Тип документа | b |
