| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689944536 |
| Дата корректировки | 12:27:52 26 апреля 2025 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46465.8844 | |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Попов, В. П. | |
|
Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния Электронный ресурс |
|
| Positive charge in the SOS heterostructures with an interlayer silicon oxide | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Впервые продемонстрирован перенос имплантированным водородом сплошных слоев (001) Si толщиной 0.2-1.7мкм на c-поверхность сапфира в процессе прямого сращивания при повышенных температурах 300-500°С. Впервые обнаружено формирование промежуточного слоя оксида кремния SiO[x] при последующих термообработках при температурах 800-1100°С, рост толщины которого (до 3 нм) коррелирует с увеличением положительного заряда Qi на гетерогранице до значения ~ 1.5 · 10{12} см{-2} в отличие от отрицательного заряда на гетерогранице SiO[x] /Al[2]O[3] ALD. При переносе на сапфир слоя кремния вместе со слоем термического диоксида кремния величина Q[i] уменьшается более чем на порядок, до 5 · 10{10} см{-2}, с ростом толщины SiO[2] от 50 до 400 нм, а подвижности электронов и дырок практически не отличаются от величин в объeмном кремнии. На основании этих результатов предложена качественная модель формирования положительно заряженных кислородных вакансий в 5-нанометровом слое сапфира вблизи границы сращивания |
| Ключевые слова | положительный заряд |
|
гетероструктуры межслойный оксид кремния оксид кремния коэффициент теплового расширения КНС-структуры |
|
|
Антонов, В. А. Вдовин, В. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1220-1227 |
|
| Имя макрообъекта | Попов_положительный |
| Тип документа | b |
