| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые продемонстрирован перенос имплантированным водородом сплошных слоев (001) Si толщиной 0.2-1.7мкм на c-поверхность сапфира в процессе прямого сращивания при повышенных температурах 300-500°С. Впервые обнаружено формирование промежуточного слоя оксида кремния SiO[x] при последующих термообработках при температурах 800-1100°С, рост толщины которого (до 3 нм) коррелирует с увеличением положительного заряда Qi на гетерогранице до значения ~ 1.5 · 10{12} см{-2} в отличие от отрицательного заряда на гетерогранице SiO[x] /Al[2]O[3] ALD. При переносе на сапфир слоя кремния вместе со слоем термического диоксида кремния величина Q[i] уменьшается более чем на порядок, до 5 · 10{10} см{-2}, с ростом толщины SiO[2] от 50 до 400 нм, а подвижности электронов и дырок практически не отличаются от величин в объeмном кремнии. На основании этих результатов предложена качественная модель формирования положительно заряженных кислородных вакансий в 5-нанометровом слое сапфира вблизи границы сращивания |
| Ключевые слова | положительный заряд |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1220-1227 |
|
| Имя макрообъекта | Попов_положительный |
