| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689876833 |
| Дата корректировки | 16:32:02 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46460.8883 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Максимов, М. В. | |
|
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs Электронный ресурс |
|
| Effect of the design of epitaxial structure and growth parameters on characteristics of metamorphic lasers of 1.46 мm optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследованы характеристики лазеров оптического диапазона 1.44-1.46 мкм, выращенных на подложках GaAs с использованием метаморфного буфера. Активная область лазеров содержала 10 рядов квантовых точек InAs/In[0.4]Ga[0.6]As/In[0.2]Ga[0.8]As. Показано, что использование специального селективного высокотемпературного отжига совместно с применением короткопериодных сверхрешеток In[0.2]Ga[0.8]As/In[0.2]Al[0.3]Ga[0.5]As позволяет существенно снизить плотность прорастающих дислокаций в активной области. Для лазера с широким полоском длиной 3 мм достигнута пороговая плотность тока 1300А · см{-2}, внешняя дифференциальная квантовая эффективность 38% и максимальная выходная мощность в импульсном режиме 13 Вт. |
| Ключевые слова | лазеры оптического диапазона |
|
квантовые точки положки GaAs арсенид галлия лазерные гетероструктуры метаморфные лазеры |
|
|
Надточий, А. М. Шерняков, Ю. М. Паюсов, А. С. Васильев, А. П. Устинов, В. М. Сeрин, А. А. Гордеев, Н. Ю. Жуков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1191-1196 |
|
| Имя макрообъекта | Максимов_влияние |
| Тип документа | b |
