| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689868243 |
| Дата корректировки | 14:11:51 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.10.46454.8859 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Белолипецкий, А. В. | |
|
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO[2]: подбор параметров эмпирического метода сильной связи Электронный ресурс |
|
| Modeling size quantization levels in Si nanocrystals in the matrix of SiO[2]: fitting parameters of the empirical tight binding technique | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Изучен вопрос оптимального выбора параметров эмпирического метода сильной связи для моделирования уровней размерного квантования кремниевых нанокристаллов, внедренных в аморфную матрицу SiO[2]. Для учета туннелирования из нанокристаллов в SiO[2] аморфная матрица рассматривалась как виртуальный кристалл с зонной структурой, подобной зонной структуре бета-кристобалита SiO[2], согласованный по величине постоянной решетки с объемным кремнием. В широком энергетическом интервале вычислены распределения электронной плотности в k-пространстве для электронов и дырок, размерно-квантованных в кремниевом нанокристалле в SiO[2], что позволяет наглядно увидеть возможность существования эффективных прямых оптических переходов для "горячих" электронов на верхних уровнях размерного квантования. |
| Ключевые слова | квантование Si-нанокристаллов |
|
кремниевые нанокристаллы аморфная матрица эмпирический метод сильной связи диоксид кремния |
|
|
Нестоклон, М. О. Яссиевич, И. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1145-1149 |
|
| Имя макрообъекта | Белолипецкий_моделирование |
| Тип документа | b |
