Поиск

Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge : SiO[2]

Авторы: Володин, В. А. Zhang Rui Кривякин, Г. К. Антоненко, А. Х. Stoffel, M. Rinnert, H. Vergnat, M.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/689525296
Дата корректировки 14:54:32 6 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.09.46156.8815
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Володин, В. А.
Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge : SiO[2]
Электронный ресурс
Formation of IR-light-emitting Ge nanocrystals in Ge : SiO[2] films
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 51 назв.
Аннотация Проведены исследования светоизлучающих нанокристаллов германия, сформированных в процессе отжигов плeнок Ge[x] [SiO[2]][1-x], полученных сораспылением в высоком вакууме мишеней германия и кварца на подложки, находящиеся при температуре 100°C. По условиям роста молярная доля германия менялась от 10 до 40%. С применением электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света в исходных плeнках с содержанием германия выше 20 мол% обнаружены нанокластеры аморфного Ge с размерами ~ 4-5 нм. Для кристаллизации аморфных нанокластеров применялись отжиги при температурах до 650°С. Исследована кинетика кристаллизации нанокластеров германия, установлено, что в системе остаeтся до ~ 1/3 аморфной фазы, предположительно, на границе нанокристалл/окружающая аморфная матрица SiO[2]. Обнаружено, что при отжигах в обычной атмосфере происходилo частичное либо полное (при молярной доле германия 30% и менее) окисление нанокластеров германия. Обнаружены интенсивная фотолюминесценция в ИК-диапазоне от квантово-размерных нанокристаллов германия и видимая фотолюминесценция, обусловленная комплексами дефектов - вакансия кислорода + избыточные атомы германия.
Ключевые слова светоизлучающие нанокристаллы Ge
нанокристаллы Ge
германий
кварц
нанокластеры
полупроводниковые нанокристаллы
фотолюминесценция
Zhang Rui
Кривякин, Г. К.
Антоненко, А. Х.
Stoffel, M.
Rinnert, H.
Vergnat, M.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 9. - С. 1056-1065
Имя макрообъекта Володин_формирование
Тип документа b