Поиск

Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]

Авторы: Кастро, Р. А. Анисимова, Н. И. Кононов, А. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/689183321
Дата корректировки 15:54:12 2 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.08.46218.8649
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Кастро, Р. А.
Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]
Электронный ресурс
Dielectric relaxation in thin layers of the glassy system Ge[28.5]Pb[15]S[56.5]
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 14 назв.
Аннотация Представлены результаты исследованияпро цессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула-Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации - E[p] = 0.40 эВ, дипольного момента молекул - µ = 1.08D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа D{+} и D{?}.
Ключевые слова диэлектрическая релаксация
стеклообразная система
релаксаторы
модель Коула-Коула
халькогенидные стекла
Анисимова, Н. И.
Кононов, А. А.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 8. - С. 912-915
Имя макрообъекта Кастро_диэлектрическая
Тип документа b