Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/689183321 |
Дата корректировки | 15:54:12 2 ноября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.08.46218.8649 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Кастро, Р. А. | |
Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5] Электронный ресурс |
|
Dielectric relaxation in thin layers of the glassy system Ge[28.5]Pb[15]S[56.5] | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
Аннотация | Представлены результаты исследованияпро цессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула-Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации - E[p] = 0.40 эВ, дипольного момента молекул - µ = 1.08D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа D{+} и D{?}. |
Ключевые слова | диэлектрическая релаксация |
стеклообразная система релаксаторы модель Коула-Коула халькогенидные стекла |
|
Анисимова, Н. И. Кононов, А. А. |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 912-915 |
|
Имя макрообъекта | Кастро_диэлектрическая |
Тип документа | b |