Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5] - Статьи - Базы данных - БГТУ

Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]

Авторы: Кастро, Р. А. Анисимова, Н. И. Кононов, А. А.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5] Электронный ресурс
Аннотация	Представлены результаты исследованияпро цессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула-Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации - E[p] = 0.40 эВ, дипольного момента молекул - µ = 1.08D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа D{+} и D{?}.
Ключевые слова	диэлектрическая релаксация
	Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 912-915
Имя макрообъекта	Кастро_диэлектрическая