| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689182154 |
| Дата корректировки | 15:41:44 2 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.08.46224.8750 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Ионычев, В. К. |
| Заглавие | Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Influence of deep centers on the statistical delay of microplasma breakdown in arsenide gallium light-emitting diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в арсенид-галлиевых светодиодах. Обнаружено существенное влияние глубоких центров на микроплазменный пробой арсенид-галлиевых p-n-переходов. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением обратного напряжения на p-n-переходе, статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет оценивать энергетический спектр глубоких уровней в микроплазменном канале. В температурном диапазоне 250-350K обнаружено влияние трех глубоких уровней и определены их параметры. |
| Служебное примечание | Шестёркина, А. А. |
| Ключевые слова | арсенид-галлиевые светодиоды |
|
микроплазменный пробой эпитаксиальная структура светодиоды диоды |
|
| Другие авторы | Шестеркина, А. А. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 8. - С. 944-948 |
| Имя макрообъекта | Ионычев_влияние |
| Тип документа | b |
