| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Ионычев, В. К. |
| Заглавие | Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в арсенид-галлиевых светодиодах. Обнаружено существенное влияние глубоких центров на микроплазменный пробой арсенид-галлиевых p-n-переходов. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением обратного напряжения на p-n-переходе, статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет оценивать энергетический спектр глубоких уровней в микроплазменном канале. В температурном диапазоне 250-350K обнаружено влияние трех глубоких уровней и определены их параметры. |
| Ключевые слова | арсенид-галлиевые светодиоды |
| Другие авторы | Шестеркина, А. А. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 8. - С. 944-948 |
| Имя макрообъекта | Ионычев_влияние |
