| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688581477 |
| Дата корректировки | 16:41:39 26 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.08.46225.8809 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Васильева, Г. Ю. | |
|
Изготовление p-n-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения Электронный ресурс |
|
| Fabrication of graphene p-n junctions and their application for terahertz detection | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| Аннотация | Рассматривается новый способ формирования латеральных p-n-переходов в эпитаксиальном графене с помощью УФ излучения. Применение метода УФ засветки позволяет получить p-n-переходы большого размера, которые исследовались в режиме фототока и фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Обсуждаются механизмы терагерцового фотоответа p-n-переходов в графене. |
| Ключевые слова | графен |
|
эпитаксиальный графен терагерцовое излучение детектирование терагерцового излучения термическая сублимация |
|
|
Васильев, Ю. Б. Новиков, С. Н. Данилов, С. Н. Ганичев, С. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 949-953 |
|
| Имя макрообъекта | Васильева_изготовление |
| Тип документа | b |
