| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688466802 |
| Дата корректировки | 9:08:18 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46036.8614 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ищенко, Д. В. | |
|
Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон Электронный ресурс |
|
| The radiative recombination, the capture of carriers in the traps and photocurrent relaxation in PbSnTe : In with composition near the band inversion | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | На основании представлений о том, что PbSnTe : In является прямозонным полупроводником, выполнены расчеты времени жизни излучательной рекомбинации, а в предположении, что PbSnTe : In это неупорядоченная структура, в которой существуют центры захвата, рассчитана релаксация фототока и зависимости мгновенного времени жизни электронов и дырок. Приведенные расчеты объясняют такие наблюдаемые в эксперименте особенности PbSnTe : In, как высокая фоточувствительность в широком диапазоне длин волн, стабилизация уровня Ферми, долговременная релаксация фототока. Проведено также сравнение расчетов с экспериментальными данными и оценка возможных параметров фотоприемников. |
| Ключевые слова | прямозонные полупроводники |
|
полупроводники излучательная рекомбинация захват носителей заряда релаксация фототока уровень Ферми твердые растворы |
|
| Неизвестный, И. Г. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 694-698 |
|
| Имя макрообъекта | Ищенко_излучательная |
| Тип документа | b |
