| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688209207 |
| Дата корректировки | 9:27:10 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45919.8635 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пащенко, А. С. | |
|
Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами Электронный ресурс |
|
| Study of structural and luminescent properties of InAs/GaAs heterostructures with bismuth doped potential barriers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние Bi в барьерных слоях GaAs на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками. Методами атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии установлено, что введение Bi до 5 ат% в GaAs приводит к снижению плотности квантовых точек InAs с 1.58 · 10{10} до 0.93 · 10{10} см{-2}. Эффект обусловлен уменьшением величины рассогласования параметра кристаллических решеток в гетероинтерфейсе InAs/GaAsBi. При этом отмечается увеличение высоты квантовых точек InAs, вероятно, вызванное возрастанием поверхностной диффузии In в процессе роста на поверхности GaAsBi. Анализ люминесцентных свойств показал, что легирование висмутом потенциальных барьеров GaAs сопровождается красным смещением пика излучения квантовых точек InAs и уменьшает его ширину. |
| Служебное примечание | Чеботарёв, С. Н. |
| Ключевые слова | гетероструктуры InAs/GaAs |
|
квантовые точки барьерные слои люминесцентные свойства арсенид индия арсенид галлия висмут атомно-силовая микроскопия рамановская спектроскопия |
|
|
Лунин, Л. С. Чеботарев, С. Н. Лунина, М. Л. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 581-585 |
|
| Имя макрообъекта | Пащенко_исследование |
| Тип документа | b |
