| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688148848 |
| Дата корректировки | 16:32:07 21 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45928.8568 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Майборода, И. О. | |
|
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN n-типа и металлом Электронный ресурс |
|
| Tunneling current in opposite Shottky diodes formed by contacts between degenerate n-type GaN and metal | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование нелинейного поведения зависимости тока от напряжения в симметричных контактах между металлом и вырожденным GaN n-типа, образующих встречные диоды Шоттки при концентрациях свободных носителей в GaN от 1.5 · 10{19} до 2.0 · 10{20} см{-3}. Показано, что при концентрации электронов 2.0 · 10{20} см{-3} проводимость между металлом (хромом) и GaN осуществляется путем туннелирования электронов, а удельное сопротивление контакта Cr-GaN при этом составляет 0.05Ом · мм. Разработан метод определения параметров потенциальных барьеров по вольт-амперным характеристикам симметричных встречных контактов. Учтено влияние сильной неоднородности распределения плотности тока и напряжения по площади контактов при малом удельном сопротивлении контактов. Для контактов Cr-n{+}-GaN получено значение высоты потенциального барьера, равное 0.47 ± 0.04 эВ. |
| Ключевые слова | диоды Шоттки |
|
туннельный ток свободные носители нитридные полупроводники полупроводники нитрид галлия планарные контакты |
|
|
Грищенко, Ю. В. Езубченко, И. С. Соколов, И. С. Черных, И. А. Андреев, А. А. Занавескин, М. Л. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 630-636 |
|
| Имя макрообъекта | Майборода_туннельный |
| Тип документа | b |
