| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688132046 |
| Дата корректировки | 13:16:14 21 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45927.8668 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Лавров, С. Д. |
| Заглавие | Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS[2] |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| High-sensitive photodetector based on atomically-thin MoS[2] | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Предложена конструкция высокочувствительного фотодетектора, в качестве функционального элемента которого используется монослой дихалькогенида переходного металла MoS[2], а также представлен поэтапный процесс его создания. Оценка качества и выборка функциональных кристаллитов MoS[2] осуществлялась на основе результатов комплексной оптической диагностики. Исследованы основные рабочие характеристики созданного устройства, и показано, что его фоточувствительность составляет 1.4 мА/Вт. Отличительной особенностью созданного устройства по сравнению с существующими аналогами является его высокая фоточувствительность при низких значениях рабочего напряжения (до ±3В). |
| Ключевые слова | высокочувствительные фотодетекторы |
|
фотодетекторы кристаллиты MoS[2] дихалькогениды переходных металлов прямозонные полупроводники полупроводники сульфид молибдена |
|
| Другие авторы | Шестакова, А. П. |
|
Мишина, Е. Д. Ефименков, Ю. Р. Сигов, А. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 6. - С. 625-629 |
| Имя макрообъекта | Лавров_высокочувствительный |
| Тип документа | b |
