| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Лавров, С. Д. |
| Заглавие | Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS[2] |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Предложена конструкция высокочувствительного фотодетектора, в качестве функционального элемента которого используется монослой дихалькогенида переходного металла MoS[2], а также представлен поэтапный процесс его создания. Оценка качества и выборка функциональных кристаллитов MoS[2] осуществлялась на основе результатов комплексной оптической диагностики. Исследованы основные рабочие характеристики созданного устройства, и показано, что его фоточувствительность составляет 1.4 мА/Вт. Отличительной особенностью созданного устройства по сравнению с существующими аналогами является его высокая фоточувствительность при низких значениях рабочего напряжения (до ±3В). |
| Ключевые слова | высокочувствительные фотодетекторы |
| Другие авторы | Шестакова, А. П. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 6. - С. 625-629 |
| Имя макрообъекта | Лавров_высокочувствительный |
