| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688130104 |
| Дата корректировки | 11:21:42 21 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.06.45932.8758 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калинкин, И. П. | |
|
Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов Электронный ресурс |
|
| Effect of chemical preparation of a silicon surface on quality and structure of epitaxial silicon carbide films synthesized by the atoms substitution method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Описаны технологические основы нового способа очистки и пассивирования гидридными группами поверхности пластин кремния (Si) ориентаций (111), (110) и (100), позволяющего обеспечить высокую чистоту и гладкость поверхности на наноуровне при длительном хранении пластин при комнатной температуре на воздухе. Для создания длительной защиты поверхности Si от окисления был разработан новый состав пассивирующего раствора. Предлагаемый раствор пригоден для длительного хранения и многократного пассивирования пластин кремния. Приводится описание состава пассивирующего раствора и условий пассивирования в нем пластин Si. На подготовленных данным способом пластинах Si можно выращивать эпитаксиальные полупроводниковые пленки и различные наноструктуры. Показано, что лишь на подготовленных данным способом поверхностях Si можно выращивать эпитаксиальные пленки SiC на Si методом замещения атомов. Приводятся экспериментальные данные по зависимости структуры пленок SiC и GaN, выращенных на Si, от условий травления поверхности Si. Разработанный способ очистки и пассивирования Si пригоден как для работы в лабораторных условиях, так и может быть легко масштабирован для промышленного производства пластин Si с защитным от окисления покрытием поверхности. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки SiC |
|
карбид кремния кремний метод замещения атомов пассивирование Si травление Si эпитаксиальные полупроводниковые пленки |
|
|
Кукушкин, С. А. Осипов, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 656-663 |
|
| Имя макрообъекта | Калинкин_влияние |
| Тип документа | b |
