Поиск

Формирование кристаллических слоев Cu[2]O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация

Авторы: Агекян, В. Ф. Борисов, Е. В. Гудовских, А. С. Кудряшов, Д. А. Монастыренко, А. О. Серов, А. Ю. Философов, Н. Г.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/687516748
Дата корректировки 8:57:47 14 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.03.45629.8682
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Агекян, В. Ф.
Формирование кристаллических слоев Cu[2]O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
Электронный ресурс
Formation of Cu[2]O and ZnO crystalline films by magnetron assisted sputtering and their optical characterization
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 22 назв.
Аннотация Методом магнетронного распыления сформированы пленки оксида меди (I) и оксида цинка толщиной в десятки и сотни нанометров на подложках из кремния и кварцевого стекла. Рост производился при различных температурах подложки и давлениях кислорода в рабочей камере. Образцы пленок исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии и оптическими методами. Установлено, что увеличение температуры подложки приводит к изменению морфологии поверхности пленок оксида меди (I) в сторону образования отчетливо выраженных кристаллитов. Спектры отражения и рамановского рассеяния свидетельствуют о том, что качество таких пленок близко к качеству объемных кристаллов Cu[2]O, полученных методом окисления меди. Что касается ZnO, то повышение температуры подложки и увеличение парциального давления кислорода позволяет получить пленки, в спектрах отражения которых наблюдается резкая экситонная структура, а в спектрах люминесценции - излучение экситонов, связанных на донорах.
Ключевые слова кристаллические слои
магнетронное распыление
пленки оксида меди
оксид меди
пленки оксида цинка
оксид цинка
рентгеновская дифракция
спектры отражения
спектры люминесценции
экситоны
Борисов, Е. В.
Гудовских, А. С.
Кудряшов, Д. А.
Монастыренко, А. О.
Серов, А. Ю.
Философов, Н. Г.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 3. - С. 147-153
Имя макрообъекта Агекян_формирование
Тип документа b