| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687438694 |
| Дата корректировки | 11:17:35 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45444.8621 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сафонов, Д. А. | |
|
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si Электронный ресурс |
|
| Electronic transport in PHEMT quantum wells AlGaAs/InGaAs/GaAs at different temperatures: influence of one-side delta-Si doping | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние концентрации дельта-легирования кремнием на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al[0.25]Ga[0.75]As/In[0.2]Ga[0.8]As/GaAs в широком интервале температур 4.2-300 K. Обнаружено снижение эффективности легирования при концентрации электронов > 1.8 · 10{12} см{-2}, обусловленное эффектами неполной ионизации примеси, что отражается также на температурной зависимости концентрации электронов. Наблюдается немонотонное изменение подвижности электронов с ростом концентрации доноров, не связанное с заполнением верхней подзоны размерного квантования. Возрастание подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий еe спад при увеличении концентрации кремния обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области дельта-слоя Si. |
| Ключевые слова | электронный транспорт |
|
квантовые ямы дельта-легирование Si кремний туннельная деградация гетероструктуры |
|
|
Виниченко, А. Н. Каргин, Н. И. Васильевский, И. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 201-206 |
|
| Имя макрообъекта | Сафонов_электронный |
| Тип документа | b |
